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IPB06N03LA参数：MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009标准包装：1,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：25V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：50A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.9毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@40µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2653pF@15V功率-最大值：83W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-3
